晶圓制造加工工藝繁雜，有著許多工藝流程，不同的工藝流程中應(yīng)用了不同的的化工材料，一般 會在晶圓表面上殘存化學(xué)物質(zhì)、顆粒物、金屬材料等雜質(zhì)，如果不盡快清理干凈，會隨著生產(chǎn)制造漸漸積累，影響到最終的品質(zhì)。在晶圓制造加工工藝中，通常存有5個清理步驟，分別是顆粒物清除清理、刻蝕后清理、預(yù)擴散清理、金屬離子清除清理和薄膜清除清理。所以，在清理加工工藝的基礎(chǔ)上，清洗設(shè)備變成了制造發(fā)展的核心。

依照清理方式的不同的，清洗設(shè)備可分成2種，分別是單片式和槽式。

單片式清洗機是由多個清理腔體組成，再運用機械臂將每一片晶圓送至每個腔體中完成獨立的噴淋式清理，清理成效比較好，避免出現(xiàn)了交叉式污染和前批次污染后批次，但弊端是清理效率較低，成本較高。

槽式清洗機是將晶圓放到花籃中，再運用機械臂逐個將其運用不同的的化學(xué)試劑槽完成清理，槽內(nèi)配有酸堿等化學(xué)液，1次能夠 同時清理1個花籃（25片）或2個花籃（50片晶圓），這類清洗機清理效率較高、成本較低，弊端是清理的晶圓相互之間會存有交叉式污染和前批次污染后批次。

槽式清洗機主要是由耐腐蝕機架、酸槽、水槽、干燥槽、控制單元、排風單元以及氣體和液體管路單元等幾大部分組成。

在過去的30年中，標準晶圓清理中應(yīng)用的化學(xué)成分基本上維持一致。它根據(jù)應(yīng)用酸性過氧化氫和氫氧化銨溶液的RCA清潔加工工藝。雖說這個是業(yè)內(nèi)仍在應(yīng)用的主要是方式，近期，許多晶圓廠應(yīng)用的新的清理加工工藝有以臭氧清理和兆聲波清理系統(tǒng)在內(nèi)的新的優(yōu)化清理技術(shù)。

在8寸加工工藝和12寸里的90/65nm等加工工藝中，線寬較寬，對殘存的雜質(zhì)容忍度相對較高，對清理的要求相對沒那么高。同時，在先進工藝中，槽式清洗設(shè)備也是有單片式清理無法替代的清理方式，如高溫磷酸清理，現(xiàn)階段只有用槽式清洗設(shè)備。所以，為降低成本和提升生產(chǎn)效率，現(xiàn)階段的核心晶圓清洗設(shè)備還是以槽式清洗設(shè)備為主。

隨著集成電路先進制造加工工藝的不斷進步，清洗設(shè)備的數(shù)目和應(yīng)用頻次漸漸升高，清理步驟的效率明顯影響到了晶圓生產(chǎn)合格率，在全部生產(chǎn)制造過程中占有率約33%，清洗設(shè)備變成了晶圓處理設(shè)備中至關(guān)重要的一環(huán)。

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